黄仁勋急令AI欧义芯片 引爆台积电全球建厂潮

快科技12月26日消息，黄仁Benzinga报道，勋急I芯英伟达首席执行官黄仁勋于今年11月访问台积电，片引欧义明确提出对更先进AI芯片的爆台迫切需求，此举直接推动了台积电新一轮的积电建厂建厂热潮。

据报道，全球为确保明年能有更多新产能投入使用，黄仁台积电已紧急要求上游设备供应商缩短交货时间。勋急I芯这一“催单”效应迅速传导至整个供应链。片引欧义

行业预计，爆台相关设备厂商的积电建厂高强度出货态势将至少持续到2026年第二季度。

目前，全球台积电已全面启动大规模建厂计划。黄仁在新竹和高雄，勋急I芯公司正集中力量建设2纳米生产线；南科厂区也在同步扩大2纳米产能。片引

针对现有的3纳米制程，南科18厂持续进行扩产；而更为先进的1.4纳米制程工厂则已在台中科学园区动工。

除了晶圆制造，台积电也将扩张重点投向“先进封装”领域，特别是CoWoS（芯片-晶圆-基板封装）产能。

在AI芯片发展中，仅靠提升制程已难以满足性能需求，必须通过先进封装技术将处理器与高带宽内存紧密集成。

因此，台积电正大力投资建设先进封装产线，以期突破当前制约AI芯片出货的关键瓶颈。

台积电的海外布局也在加速推进。其位于美国亚利桑那州的首座晶圆厂已进入量产阶段，另外两座工厂亦在建设当中。

基于如此激进的全球扩张计划，行业专家预测，台积电2025年的资本支出有望达到480亿至500亿美元的惊人规模。

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责任编辑：鹿角

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